為進(jìn)一步活躍學(xué)術(shù)氛圍，加強(qiáng)高層次學(xué)術(shù)交流，提高師生科學(xué)研究素養(yǎng)，電子信息工程學(xué)院特邀請微電子科學(xué)與技術(shù)專家，中國科學(xué)院劉明院士來校講座。

報告題目：集成電路技術(shù)創(chuàng)新讓生活更美好

報告時間：2019年11月18日（周一）上午 10：00

報告地點：河北大學(xué)七一路校區(qū)圖書館一樓報告廳

要求：

1.歡迎廣大師生前來聽報告，請所有參會人員提前10分鐘入場完畢；

2.報告期間，請將手機(jī)關(guān)閉或調(diào)制靜音狀態(tài)，保持會場秩序。

主講人介紹：

劉明 中國科學(xué)院院士，發(fā)展中國家科學(xué)院院士，中國科學(xué)院微電子研究所研究員，長期從事半導(dǎo)體存儲器和集成電路的微納加工等方面的研究。曾獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎3項、國家科技進(jìn)步二等獎1項、中國真空科技成就獎和科學(xué)院杰出成就獎等獎項 。發(fā)表SCI收錄論文250多篇，SCI他引超過2800次，6篇論文入選ESI高被引論文榜，兩項工作列入2013年ITRS(國際半導(dǎo)體發(fā)展路線圖)、多項工作作為典型進(jìn)展被寫入15本著作和40篇綜述中。在本領(lǐng)域重要國際會議做邀請報告30多次。授權(quán)發(fā)明專利180件(含美國授權(quán)專利7件)，主要專利轉(zhuǎn)讓/許可到多家重要集成電路企業(yè)。主持參與了多項國家973、863項目。在國際上首次采用軟X射線曝光技術(shù)實現(xiàn)了256位分子存儲器;在32nm技術(shù)節(jié)點以下的非揮發(fā)性存儲器替代方案上，提出了利用金屬摻雜的技術(shù)手段來提高阻變存儲器(RRAM)性能和成品率的方法，成為國際上最早提出此概念的兩個小組之一，在漸進(jìn)型的非揮發(fā)性存儲器替代方案上，著眼于納米晶浮柵存儲結(jié)構(gòu)(Nano-Floating Gate)。

(電子信息工程學(xué)院)